Компьютерная память, включая DRAM (RAM) и NAND (для SSD), сильно подорожала в конце 2025 года из-за дефицита, вызванного переориентацией производства на чипы HBM для ИИ-ускорителей. Цены на DDR5 выросли на 163–619% в разных регионах, а контрактные цены на DRAM и NAND — на 80–100% за месяц. Этот рост затронул как потребительский рынок, так и серверные модули, сделав память дороже видеокарт или даже консолей.

Основные причины

Производители вроде Samsung, SK Hynix и Micron сократили выпуск обычной DRAM в пользу HBM, необходимой для чипов NVIDIA и серверов ИИ от Google, AWS и Microsoft. Дата-центры скупают память оптом на 2–3 года вперед, усиливая дефицит и ажиотаж среди геймеров. Производственные линии в Азии выкуплены крупными заказами, а запасы исчерпываются.​

Прогноз цен

Аналитики TrendForce и Counterpoint ожидают роста на 30–50% ежеквартально в 2026 году, с пиком дефицита во втором квартале. Облегчение возможно к концу 2026–2027 годов, но NAND тоже под ударом с ростом на 20–65%. Производители ноутбуков и ПК уже поднимают цены или снижают объемы памяти в устройствах.

​

Для справки

Чипы HBM (High Bandwidth Memory — память с высокой пропускной способностью) — это тип высокопроизводительной оперативной памяти, которая использует 3D-стекирование (многослойное размещение) кристаллов DRAM для достижения огромной скорости передачи данных и низкого энергопотребления, что делает её идеальной для ИИ-ускорителей, GPU, серверов и сетевых устройств, в отличие от традиционной GDDR, где чипы размещаются рядом, а не друг над другом. Основные разработчики — AMD, SK Hynix, Samsung, а новые поколения (HBM3, HBM4) повышают ёмкость и скорость для обработки больших объёмов данных, как в современных чипах Nvidia. 

Ключевые особенности HBM:

• 3D-стекирование: Кристаллы памяти укладываются стопками и соединяются через вертикальные соединения (TSV), что сокращает путь сигнала.
• Высокая пропускная способность: Обеспечивает сотни гигабит в секунду, что критично для ИИ.
• Низкое энергопотребление: Эффективнее традиционной памяти, важна для дата-центров.
• Компактность: Занимает меньше места на плате, объединяя память и процессор в одной микросборке. 

Основные поколения и их применение:

• HBM2/HBM2E: Первые массовые реализации, используются в мощных GPU.
• HBM3/HBM3E: Значительно повышают скорость и ёмкость (24 ГБ и более).
• HBM4: Ожидаемые поколения, которые позволят нарастить ёмкость до 36 ГБ и выше, необходимы для следующего поколения ИИ-чипов. 

Применение: Искусственный интеллект (ИИ), графические процессоры (GPU), суперкомпьютеры, сетевые коммутаторы и другие высокопроизводительные вычисления.